据中国国防科技信息网报道，美国雷神公司2月25日宣布，该公司承担的宽能带隙半导体项目已使氮化镓(GaN)技术在从基础材料到晶体管、单片微波集成电路(MMIC)、发射机/接收机(T/R)模块和最终的发射机/接收机多信道集成模块(TRIMM)的发展路线系统成熟化。该技术可大幅提高使用雷达、电子战、导航和通信系统作战人员的战斗力，并提高经济可承受性。
该技术是一种促成美国国防部改变竞赛态势的系统性能。这是雷神公司GaN技术取得的最新里程碑，该公司已在2013年6月因成功完成国防制造法案标题III——氮化镓制造改进项目而受到嘉奖，后者已由政府和雷神公司资助的GaN RF集成电路技术项目开发了10多年了。
据雷神公司综合防务系统事业部负责先进技术的副总裁称：“雷神公司一直是GaN技术演化的一个推进者，我们对参与这一将直接转化为作战人员能力的新前沿技术工作的一部分而感到振奋。通过与DARPA的合作，我们一直在开发利用GaN材料的无限能力提高防务系统性能和可靠性的新方法。”
雷神公司现是DARPA MTO宽能带半导体项目的成员，并得到了美国空军、海军和陆军技术部门的支持，已取得了数个此类工作的里程碑式的第一名：
首先完成了历史性X-波段GaN T/R模块的验证，它包括在一定范围工作条件下广泛、成功地设计了确认性试验，验证了GaN技术的成熟性;
首先完成了历史性X-波段GaN TRIMM验证，证实了GaN在相关工作条件的性能，这包括于相关组合工作环境下广泛地试验，其中包括一次在实验室对一个试制GaN阵列进行了一次1000小时的运行试验，并在一部生产型雷达中开展了GaN阵列插入确认实验，为TRIMM转入生产阶段作好了准备。
